RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Махов Иван Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

    Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
  2. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
  3. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
  4. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  3–6
  5. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
  6. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства

    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
  7. Люминесценция в $p$$i$$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
  8. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
  9. Исследование $p$$i$$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
  10. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43
  11. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  629–636
  12. Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  378–382
  13. Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1445–1450


© МИАН, 2025