RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Туктамышев Артур Раисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge

    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
  2. Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия

    Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310
  3. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
  4. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614


© МИАН, 2024