RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Туктамышев Артур Раисович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Физика и техника полупроводников
,
52
:3 (2018),
409–413
Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
Письма в ЖЭТФ
,
105
:5 (2017),
305–310
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Физика и техника полупроводников
,
51
:3 (2017),
342–347
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Физика и техника полупроводников
,
50
:12 (2016),
1610–1614
©
МИАН
, 2024