|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Переход металл-диэлектрик и другие электронные свойства двухслойного АВ-графена на ферромагнитной подложке
Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 689–696
-
Распределение заряда и волна спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки
Письма в ЖЭТФ, 116:10 (2022), 708–715
-
Магнитно-электронная неустойчивость графена на ферромагнитной подложке
Письма в ЖЭТФ, 114:12 (2021), 824–832
-
Новые полуметаллические состояния в системах с волнами спиновой и зарядовой плотности (Миниобзор)
Письма в ЖЭТФ, 112:11 (2020), 764–773
-
Фазовое расслоение в состоянии с волной спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки
Письма в ЖЭТФ, 112:10 (2020), 693–699
-
Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом
Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017), 768–779
-
Динамические характеристики мощных импульсных
GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов
Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 719–724
-
Исследование стабильности переключения высоковольтных
субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов
Письма в ЖТФ, 18:10 (1992), 26–31
-
О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных
тиристоров на основе гетероструктуры
ЖТФ, 59:2 (1989), 156–158
-
Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного
тиристора на основе гетероструктуры
Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 413–418
-
Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного
арсенида галлия
ЖТФ, 57:4 (1987), 771–777
-
Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия
Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1270–1274
-
Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо
легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов
и тиристоров
Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1897–1900
-
Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных
транзисторах на основе гетероструктуры
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 677–682
-
Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры
Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285
-
Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе
гетероструктуры
Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 878–884
-
Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом
ЖТФ, 54:4 (1984), 859–862
-
Мощные импульсные транзисторы
на основе арсенида галлия
Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 976–979
-
Арсенид-галлиевые транзисторы
ЖТФ, 53:4 (1983), 763–765
-
Исследование транзисторов с оптической связью
Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1618–1622
-
Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs
Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 652–655
© , 2024