|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1406–1413
-
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда
в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 529–536
-
Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида
галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 379–384
-
Туннельная микроскопия поверхности кристаллов WSe$_{2}$
Физика твердого тела, 32:5 (1990), 1523–1525
-
Оптическое исследование закрепления уровня Ферми
на поверхности (110)
полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 66–71
-
Спектры оптических переходов между собственными электронными
состояниями чистой поверхности (110) соединений
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 433–436
-
Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$
Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 709–713
-
Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников,
обусловленная поверхностным изгибом зон
Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1037–1041
-
Эффект Штарка на экситонных уровнях кристалла сульфида кадмия
Докл. АН СССР, 140:6 (1961), 1285–1288
-
XVIII Международная конференция по физике полупроводников
Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 971–973
© , 2024