Фистуль Виктор Ильич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  997–1003
2. Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  124–127
3. Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1118–1120
4. Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1038–1041
5. Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2118–2121
6. Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1947–1950
7. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. III. Теория растворимости
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  688–692
8. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  684–687
9. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  677–683
10. Квантовый гармонический резонанс в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  301–306
11. Энергии миграций междоузельных $d$-примесей в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1026–1029
12. Барические необратимые эффекты в кремнии с примесными преципитатами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  766–767
13. Барический распад преципитатов гадолиния в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  764–765
14. Электрические и фотоэлектрические свойства лазерно-имплантированных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2140–2144
15. Поведение амфотерной примеси Sn в эпитаксиальных слоях GaSb$\langle$Sn$\rangle$ и GaSb$\langle$Cd, Sn$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  109–112
16. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  104–108
17. Концентрационные профили при неизотермической диффузии в твердых телах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2082–2085
18. Зависимость люминесцентных свойств сильно легированных эпитаксиальных слоев GaSb$\langle$Cd$\rangle$ от условий получения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1414–1419
19. Люминесцентные свойства тонких слоев антимонида галлия на танталовых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1519–1521
20. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1345–1362
21. Рецензия на трехтомную монографию А.Р.  Регеля и В.М.  Глазова: «Периодический закон и физические свойства электронных расплавов», т. 1; «Физические свойства электронных расплавов», т. 2; «Закономерности формирования структуры электронных расплавов», т. 3
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  961–964
22. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках III.  Сопоставление с экспериментом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  797–801
23. Примесная зона кластеров железа в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  250–254
24. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках II.  Одновременная и взаимная диффузия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2003–2008
25. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках I.  Постановка задачи. Последовательная диффузия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1995–2002
26. Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1107–1110
27. Лазерная имплантация примесей в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  854–858
28. Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  345–346
29. Кластеры в сильнолегированном кремнии
    
    Докл. АН СССР, 150:5 (1963),  1059–1061
30. О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа
    
    Докл. АН СССР, 149:5 (1963),  1119–1122
31. Туннельные диоды
    
    УФН, 77:1 (1962),  109–160
32. Адсорбционные изменения поверхностной проводимости германия
    
    Докл. АН СССР, 130:2 (1960),  374–376