Домашевская Эвелина Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные и газочувствительные характеристики тонких полупроводниковых пленок PdO различной толщины при детектировании озона
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1034–1039
2. Влияние относительного содержания металлической компоненты в диэлектрической матрице на образование и размеры нанокристаллов кобальта в пленочных композитах Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$
   
   Физика твердого тела, 61:2 (2019),  211–219
3. Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  940–946
4. Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении
   
   Физика твердого тела, 60:5 (2018),  1005–1011
5. Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита
   
   Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018),  191–196
6. Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
   
   Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782
7. Особенности локальной атомной структуры металлических слоев многослойных наноструктур (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ и (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ с различными прослойками
   
   Физика твердого тела, 59:2 (2017),  373–378
8. Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$
   
   Физика твердого тела, 59:1 (2017),  161–166
9. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  363–366
10. Ab initio моделирование и синхротронные рентгеноспектральные исследования оксидов олова вблизи Sn $L_{3}$-краев поглощения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2294–2298
11. Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/a-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_{2}$)$_{32}$
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  991–999
12. Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  313–317
13. Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  212–217
14. Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  180–184
15. Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  3033–3038
16. Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1448–1450
17. Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  893–897
18. Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  450–455
19. Электронное строение валентной зоны твердых растворов Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As и GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ по данным рентгеновской спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  268–273
20. Плотность электронных состояний соединений MB$_{66}$
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  899–901
21. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП структуре с пленкой триоксида вольфрама
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  1957–1961
22. Локальные электронные состояния иодного центра в AgCl
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2191–2193
23. Влияние $5d$-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1658–1661
24. Структура валентной полосы соединения с промежуточной валентностью SmB$_{6}$
    
    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2173–2175
25. Самосогласованная релятивистская зонная структура соединения TmS в приближении функционала локальной плотности
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  554–556
26. Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1897–1899
27. Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным
    
    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2482–2484
28. К вопросу о природе химической связи в полупроводниковых соединениях $\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$
    
    Докл. АН СССР, 156:2 (1964),  430–433