RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Тихомирова Наталья Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Стабилизация поляризации и повышение трещиностойкости кристаллов триглицинсульфата радиационными дефектами

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  668–674
  2. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика

    Докл. АН СССР, 311:3 (1990),  594–596
  3. Использование жидких кристаллов для дефектоскопии и визуализации пор ядерных фильтров

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  67–71
  4. Диффузия радиационных дефектов в локально облученных кристаллах ТГС

    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3135–3137
  5. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата

    Физика твердого тела, 30:9 (1988),  2692–2697
  6. Кинетика процесса переполяризации кристаллов ТГС с примесью $L$-$\alpha$-аланина

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  724–729
  7. Зависимость характеристик переключения кристаллов ТГС от толщины

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1041–1047
  8. Визуализация ростовых неоднородностей полупроводников с помощью жидких кристаллов

    Письма в ЖТФ, 13:22 (1987),  1379–1384
  9. Особенности процесса переполяризации тонких пластин кристалла ТГС

    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3319–3328
  10. Использование метода НЖК для изучения распределения пороговых полей процесса переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов

    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3055–3058
  11. Использование метода НЖК для визуализации динамики доменной структуры в сегнетоэлектрике $Pb_{5}\,Ge_{3}\,O_{11}$

    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  483–487
  12. Зародышеобразование доменов в реальных кристаллах триглицинсульфата в переменных электрических полях

    Докл. АН СССР, 245:6 (1979),  1376–1379
  13. Аномально большое влияние давления на оптические и сегнетоэлектрические свойства монокристаллов $\mathrm{SbSJ}$

    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1060–1062


© МИАН, 2024