Слободчиков Семен Вавилович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1750–1754
2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур, полученных структурным переходом Au$-p$-InP$\to$Au$-n$-In$_{2}$O$_{3}{-}p$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1590–1595
3. О механизмах влияния водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p(n)$-InP и Pd${-}n$-GaP
   
   ЖТФ, 61:9 (1991),  173–176
4. Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1686–1690
5. Токи двойной инжекции и фототок в диодных структурах Pd${-}p{-}p^{+}{-}$InP
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1466–1468
6. Фотодетектор на основе InGaAs как детектор водорода
   
   Письма в ЖТФ, 17:15 (1991),  1–4
7. Фотоэдс структур Pd${-}n$-InP с промежуточным слоем в атмосфере водорода или водяных паров
   
   ЖТФ, 59:11 (1989),  155–158
8. Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного $3d$-элементами
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  921–924
9. Фотодетектор Pd$-$промежуточный слой$-$JnP как детектор водорода
   
   Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  55–58
10. Поверхностно-барьерные структуры Au${-}p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1528–1529
11. О механизмах рекомбинации носителей тока в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  789–792
12. Продольный фотоэффект на основе внутренней фотоэмиссии
    
    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1982–1985
13. Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2195–2198
14. Спектральная фоточувствительность Au${-}p$-InAs диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  903–905
15. О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, легированных Zn и Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  537–538
16. О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  403–406
17. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе $p$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1119–1122
18. Диоды Шоттки на основе компенсированного $p$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  600–603
19. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547
20. Продольный фотоэффект в диодах Шоттки Au/$n$-InP с промежуточным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2084–2086
21. Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1991–1994
22. О фотоэлектрических свойствах кристаллов $p$-$\mathrm{ZnSiAs}_2$ и $p$-$\mathrm{CdGeAs}_2$
    
    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1065–1066