Любченко А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. К вопросу о собственной концентрации носителей заряда в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1342–1346
2. Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  535–538
3. Влияние компенсирующего отжига на шум $1/f$ в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  173–176
4. Электронное время жизни в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с разной плотностью малоугловых границ
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1649–1652
5. Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  464–466
6. Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном фотовозбуждении неоднородных полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  190–192
7. Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  171–174
8. Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых облучению
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1386–1389
9. Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных структурах на основе селенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  152–155
10. Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  409–412
11. Рекомбинационные процессы в полупроводниках Mg$_{x}$Cd$_{1-x}$Se в условиях предельной перезарядки локальных центров
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1989–1993
12. Спектральное распределение фоточувствительности в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в стационарном и импульсном режимах измерения
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  541–543
13. Фотопроводимость монокристаллов CdTe в области края фундаментального поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  398–402
14. Электрические эффекты, стимулированные колебательной деформацией, в полупроводниковых кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2505–2506
15. Два параллельных механизма захвата носителей на один рекомбинационный центр
    
    Докл. АН СССР, 167:4 (1966),  795–798
16. Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока
    
    Докл. АН СССР, 161:6 (1965),  1310–1312