Курмашев Шамиль Джамашевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1404–1409
2. Спектр фоточувствительности инжекционных фотодиодов с варизонной базой в магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  558–560
3. Инжекционное усиление фототока в неоднородно легированном полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2233–2236
4. Влияние электронного облучения на фоточувствительность Ge$\langle$Hg, Sb$\rangle$-структур с инжекционным усилением
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1134–1136
5. Влияние электронного облучения на характеристики инжекционных фотодиодов из $p$-InSb
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  927–929
6. Оптический метод формовки $p$ – $n$-перехода
   
   Докл. АН СССР, 162:3 (1965),  530–531