|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Акцепторно-дороные пары в узкощелевых полупроводниках $p$-HgCdTe
Физика твердого тела, 32:7 (1990), 2074–2079
-
Акцепторно-донорные пары в бесщелевом полупроводнике HgTe
Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2159–2166
-
Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K
Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 333–335
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)
Письма в ЖТФ, 12:16 (1986), 976–979
-
Электрические свойства эпитаксиальных слоев $Hg_{1-x}\,Cd_x\,Te$ ($x\simeq 0.2$)
Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 111–114
-
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1681–1683
-
Остаточная проводимость в (AgInTe$_{2}$)$_{0.5}$(2HgTe)$_{0.5}$
Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1651–1654
-
Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств
в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1458–1461
-
Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 327–329
-
Подвижность электронов в $\mathrm{HgTe}$
Докл. АН СССР, 162:6 (1965), 1269–1270
© , 2024