RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шмарцев Юрий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1737–1741
  2. Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  574–577
  3. Нормальные колебания отдельных групп атомов в кристаллической решетке силленитов. II. Группа Me(O$_{3}$Bi$_{3}$)$_{4}$

    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1210–1214
  4. Нормальные колебания отдельных групп атомов в кристаллической решетке силленитов. I. Группы O$_{(1)}$Bi$_{3}$ и O$_{(2)}$Bi$_{3}$

    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1202–1209
  5. ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках

    ЖТФ, 61:3 (1991),  74–79
  6. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода

    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1758–1764
  7. Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1472–1475
  8. Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1355–1360
  9. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  997–1003
  10. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903
  11. О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1862–1866
  12. Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1857–1861
  13. Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1095–1100
  14. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  77–81
  15. Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1913–1916
  16. Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1517–1518
  17. Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1259–1262
  18. Об одной особенности донора — серы в GaP

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1070–1075
  19. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  3–32
  20. О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1091–1095
  21. Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа

    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  604–608
  22. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
  23. Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  35–43
  24. Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового раствора$-$расплава

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1794–1799
  25. Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655
  26. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
  27. Квантовые поправки к проводимости и разогрев двумерного электронного газа на гетерогранице AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2096–2099
  28. Магниторезистивная ЭДС квазидвумерного электронного газа в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1479–1481
  29. Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1118–1124
  30. Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952
  31. Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  662–665
  32. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
  33. Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях

    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  833–835
  34. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
  35. Оптические свойства двухфазной системы металл–диэлектрик Cu$-$ZnO

    Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2707–2710
  36. К столетию открытия германия

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2137–2139
  37. Задержка и подавление токового шнура магнитным полем в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР-гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1488–1491
  38. Фотолюминесценция InP, легированного висмутом

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1258–1261
  39. Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$

    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  912–916
  40. Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности

    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  764–767
  41. К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  274–276
  42. Фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  257–261
  43. Отражение света двухфазными смесями металл–диэлектрик

    Письма в ЖТФ, 12:2 (1986),  103–106
  44. Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2004–2007
  45. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
  46. К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1104–1107
  47. Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах GaAs/GaAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  164–167
  48. Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga\,As-Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  717–720
  49. Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  602–605
  50. Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  230–233
  51. Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  224–226
  52. Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  7–11
  53. Спектр инфракрасного отражения Bi$_{12}$TiO$_{20}$

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2233–2235
  54. Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    ЖТФ, 54:11 (1984),  2233–2237
  55. Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной эпитаксии

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2011–2015
  56. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399
  57. Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1999–2005
  58. Электрические свойства неидеальных гетеропереходов $n$-GaP/$p$-Si и $n$-GaAs/$p$-Si

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1588–1592
  59. О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1251–1255
  60. Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1237–1241
  61. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1230–1232
  62. Шумы в симметричных планарных структурах из кремния, компенсированного цинком

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1173–1177
  63. О квантовом эффекте Холла в кремниевых МДП структурах

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  365–367
  64. О температурной зависимости времени релаксации фазы волновой функции в германии, легированном сурьмой

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  156–159
  65. Электронные явления в неидеальных гетеропереходах

    Докл. АН СССР, 270:3 (1983),  593–596
  66. Исследование оптического поглощения легированного рутила

    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  942–944
  67. Комбинационное рассеяние света в Bi$_{12}$TiO$_{20}$

    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  596–598
  68. Оптические свойства тонких слоев Ta$_{2}$O$_{5}$ на кремнии

    ЖТФ, 53:12 (1983),  2362–2366
  69. К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии

    ЖТФ, 53:3 (1983),  545–549
  70. Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе Si-МДП структур

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2230–2232
  71. Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1217–1224
  72. Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1081–1086
  73. К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  134–138
  74. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  108–114
  75. О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  103–107
  76. Электрожидкостная эпитаксия InAs

    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  961–964
  77. Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  662–666
  78. О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой

    Письма в ЖТФ, 9:4 (1983),  242–245
  79. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)

    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  155–158
  80. Получение и некоторые свойства полупроводникового соединения $\mathrm{CdSnAs}_2$

    Докл. АН СССР, 171:4 (1966),  830–832
  81. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии $n$-типа

    Докл. АН СССР, 163:2 (1965),  338–339

© МИАН, 2024