Царенков Борис Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель и эксперимент
   
   ЖТФ, 62:3 (1992),  100–105
2. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1913–1921
3. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1419–1422
4. Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1406–1413
5. Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  439–443
6. Адгезия пленок золота и никеля к арсениду галлия
   
   ЖТФ, 60:11 (1990),  208–209
7. Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$
   
   ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169
8. Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2126–2131
9. Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1848–1856
10. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1835–1840
11. Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2179–2189
12. Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  39–43
13. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной
    
    Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  36–42
14. Релаксационная жидкостная эпитаксия, основанная на инверсии массопереноса, и ее возможности для создания супертонких слоев A$^{3}$B$^{5}$
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1507–1512
15. Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник–металл от ширины запретной зоны полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1712–1713
16. Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза II.  Эксперимент
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1640–1646
17. Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза I.  Модель
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1634–1639
18. Синие SiC-$6H$-светодиоды
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  664–669
19. Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  555–558
20. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136
21. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  129–132
22. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
23. Осциллирующий знакопеременный интегральный эффект Ханле в варизонном полупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1893–1898
24. Создание супертонких слоев GaAs на подложке GaAlAs жидкостной эпитаксией
    
    ЖТФ, 56:5 (1986),  910–913
25. Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного к омическому
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1510–1513
26. Интерфейсная люминесценция гетероструктуры $n$-GaAs/$n$-GaAlAs, полученной жидкостной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1313–1317
27. Полупроводникам A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ — 35 лет
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2113–2117
28. Поляризованная фотолюминесценция варизонного полупроводника с градиентом $g$-фактора электронов I.  Теория
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1277–1282
29. Люминесценция упруго и пластически деформированных при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1078–1080
30. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
31. Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  465–469
32. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда $p{-}n$-структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1852–1858
33. К вопросу об определении контактной разности потенциалов структуры с потенциальным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1472–1475
34. Рецензия на книгу «Введение в физику полупроводников»
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1339–1340
35. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  902–912
36. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176
37. Полупроводникам — 150 лет
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2113–2115
38. Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным барьером при фотонном переносе ННЗ
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2098–2100
39. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость–напряжение поверхностно-барьерной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1068–1072
40. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755
41. Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  599–606
42. Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  125–128
43. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов $\mathrm{ZnSiP}_2$
    
    Докл. АН СССР, 163:3 (1965),  606–608