Вайсбурд Давид Израйлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одновременное наблюдение внутризонной электронной и межзонной дырочной радиолюминесценции на кристаллах $\mathrm{CsI}$
   
   Докл. РАН, 336:1 (1994),  39–42
2. Прямое экспериментальное доказательство явления внутризонной радиолюминесценции диэлектриков
   
   Докл. РАН, 333:4 (1993),  452–456
3. Неравновесное кипение металла под действием килоджоульного импульса облучения плотным электронным пучком
   
   Докл. РАН, 323:4 (1992),  667–672
4. Масштабный эффект при хрупком разрушении ионного кристалла мощным импульсом электронного облучения
   
   Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  69–72
5. Точное решение задачи о необратимой коагуляции элементарных точечных дефектов в твердых телах
   
   Докл. АН СССР, 301:2 (1988),  328–331
6. Температурная зависимость подвижности высокоэнергетических электронов зоны проводимости в ионных кристаллах
   
   Докл. АН СССР, 293:3 (1987),  598–602
7. Проводимость высокоэнергетических зонных электронов в диэлектрических кристаллах
   
   ЖТФ, 57:7 (1987),  1443–1445
8. Особенности накопления $F$-центров в гидрированных кристаллах KCl$-$KH при протонном облучении
   
   Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2230–2232
9. Зависимость среднего порога хрупкого разрушения кристаллов KCl электронным пучком от длительности импульса облучения
   
   ЖТФ, 56:10 (1986),  2049–2050
10. Квантование функции распределения высокоэнергетических зонных электронов и дырок диэлектрического кристалла в компенсирующем электрическом поле
    
    Докл. АН СССР, 280:6 (1985),  1346–1350
11. Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов в сверхсильных электрических полях
    
    ЖТФ, 54:9 (1984),  1804–1805
12. Хрупкое раскалывание стекол под действием периодического импульсного облучения плотными потоками электронов
    
    ЖТФ, 54:2 (1984),  375–376
13. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронными и рентгеновскими пучками средней плотности
    
    Докл. АН СССР, 265:5 (1982),  1113–1116
14. Фундаментальная люминесценция ионных кристаллов при наносекундном облучении плотными электронными пучками
    
    Докл. АН СССР, 254:5 (1980),  1112–1116
15. Фермионные свойства дефектов в твердых телах
    
    Докл. АН СССР, 247:1 (1979),  76–80
16. Приповерхностный слой, обогащенный вакансиями, в нитевидных кристаллах $\mathrm{NaCl}$
    
    Докл. АН СССР, 235:6 (1977),  1289–1292
17. Уравнение радиационного накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах
    
    Докл. АН СССР, 165:5 (1965),  1029–1032