Лугаков П Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние предварительной термообработки на эффективность образования радиационных дефектов в бездислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1509–1511
2. Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов в бездислокационном $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1142–1145
3. Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  176–180
4. Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационного $n$-кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  110–113
5. Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1721–1725
6. Влияние деформационных напряжений границы раздела Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  517–520
7. Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1492–1495
8. Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  885–887
9. Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  748–751
10. Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в $p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  722–725
11. Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2223–2226
12. Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и $\gamma$-облучении кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2071–2073
13. Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  499–502
14. Смещение уровня Ферми и конверсия типа проводимости при облучении $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  746–748
15. Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном $p$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1894–1897
16. Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно легированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  964–967
17. Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  767–770
18. Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  742–744
19. Энергия активации термической ионизации радиационных дефектов в дислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  345–347
20. Природа и параметры примесно-дефектных скоплений в нейтронно-легированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2014–2017
21. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в Si из-за взаимодействия их с поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1007–1010
22. Радиационное изменение времени жизни носителей заряда в дислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  543–545
23. Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий и междоузлий в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  345–347
24. Влияние условий облучения и примесного состава кремния на параметры областей скопления дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1902–1904
25. Природа дефектов и особенности их образования при облучении нейтронно-легированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1601–1603
26. Взаимодействие точечных и групповых радиационных дефектов в дислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1517–1519
27. Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при отжиге облученного $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  166–168
28. Энергетический спектр радиационных нарушений в монокристаллах кремния
    
    Докл. АН СССР, 169:3 (1966),  562–564