Тетельбаум Давид Исаакович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
2. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
3. Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  771–777
4. Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  24–27
5. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
6. Роль границы раздела водная среда–твердое тело в передаче возбуждения кремния светом
   
   ЖТФ, 89:9 (2019),  1427–1433
7. Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1023–1029
8. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
9. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
10. Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  967–972
11. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
12. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
13. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
14. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
15. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
16. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
17. Об аномальной дозовой зависимости концентрации $VV$-центров в кремнии при ионной имплантации азота
    
    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1514–1516
18. О механизме изменения свойств металлов с высокой степенью структурного несовершенства при малых дозах ионного облучения
    
    Докл. АН СССР, 311:3 (1990),  606–608
19. Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2149–2152
20. Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект дальнодействия при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 15:22 (1989),  44–47
21. Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн при распространении в кристалле с кластерами дефектов
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  273–276
22. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1495–1497
23. Эффект дальнодействия при ионном облучении «бескислородного» кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  904–910
24. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  503–507
25. Влияние давления на скорость рекристаллизации аморфизованного слоя кремния при постимплантационном отжиге
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  274–277
26. Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке за пределами области пробега ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  464–468
27. Связь аморфизуемости алмазоподобных полупроводников с их механическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1045–1048
28. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  838–842
29. Структура ближнего порядка $\mathrm{InSb}$, аморфизованного ионной бомбардировкой
    
    Докл. АН СССР, 248:6 (1979),  1335–1337
30. Структурные превращения при бомбардировке железа, никеля и молибдена ионами $\mathrm{Ar}^+$, $\mathrm{N}^+$ и $\mathrm{C}^+$
    
    Докл. АН СССР, 217:2 (1974),  330–332
31. Связь между аморфизацией и образованием точечных дефектов при ионной бомбардировке германия и кремния
    
    Докл. АН СССР, 192:2 (1970),  324–326
32. Структура аморфного германия, полученного из кристаллического бомбардировкой ионами аргона
    
    Докл. АН СССР, 175:4 (1967),  823–825