Новиков Артем Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
2. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
3. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
4. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
5. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
6. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
7. Radical reaction of C₇₀Cl₁₀ with P(OEt)₃: isolation and characterization of C₇₀[P(O)(OEt)₂]_nH_n (n = 1, 2)
   
   Mendeleev Commun., 24:4 (2014),  211–213