Демаков Константин Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1132–1133
2. Синтез аморфной пленки Si$_{3}$N$_{4}$ в процессе имплантации ионов азота в кремний
   
   Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  43–45
3. Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы ионно-синтезированного SiC в Si
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  731–732
4. Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1685–1689
5. Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  920–922
6. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  149–152
7. Колебательная структура $D_{1}$-спектров в кубическом SiC
   
   Физика твердого тела, 27:10 (1985),  3170–3172
8. Восстановление структуры слоев карбида кремния после ионной имплантации
   
   Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1575–1577
9. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar
   
   Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  700–703
10. Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора, внедренных в монокристаллы кремния
    
    Докл. АН СССР, 197:2 (1971),  319–322