Парафин Алексей Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
2. Исследование параметров сверхпроводящих и изолирующих элементов структур, получаемых на пленках YBCO методом задающей маски, при уменьшении их размеров
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1218–1222
3. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
4. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
5. О возможности изготовления мостиков YBCO с совершенной поверхностью, критической температурой более 88 K и плотностью критического тока до 5 $\cdot$ 10$^{6}$ A/cm$^{2}$
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1398–1402
6. Возможности метода задающей маски для исследования характеристик планарных ВТСП-структур в зависимости от толщины сверхпроводящей пленки
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1677–1680
7. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
8. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
9. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
10. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
11. Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2100–2104
12. Особенности терагерцовой фотопроводимости в YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ вблизи температуры сверхпроводящего перехода
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  810–813
13. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
14. Исследование СВЧ-свойств высокотемпературных джозефсоновских контактов на сапфировой бикристалической подложке
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2117–2122
15. Новый подход к формированию топологии планарных структур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBCO
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2113–2116
16. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
17. Исследование планарных структур, полученных на модифицированных подложках Al$_{2}$O$_{3}$, определяющих топологию сверхпроводящих элементов в процессе осаждения YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$
    
    Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  82–90