Машков Владимир Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1331–1335
2. High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473
3. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
4. О новом механизме неоднородного уширения оптических спектров глубоких дефектов в диэлектрических стеклах
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3313–3318
5. Влияние частотного эффекта на оптические свойства центра немостикового кислорода в стеклообразном диоксиде кремния
   
   Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3654–3658
6. Спектральные проявления квадратичного электрон-колебательного взаимодействия на глубоких дефектах в стеклах
   
   Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1216–1219
7. Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531
8. Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке
   
   Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084
9. Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029
10. Исследование отжига дислокационных оборванных связей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1190–1193
11. Оптическая поляризация ядерных моментов в кремнии с одномерными дефектами
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  634–637
12. Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747
13. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
14. Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  611–615
15. Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573
16. Энергетические и структурные модели микродефектов в германатных стеклах
    
    Докл. АН СССР, 207:6 (1972),  1318–1321