Бугров Владислав Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
2. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
   
   Физика твердого тела, 63:6 (2021),  788–795
3. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
4. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
5. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
6. Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  19–22
7. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  43–45
8. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
9. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
10. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
11. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
12. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
13. Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  207–220
14. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
15. Генерация второй гармоники в гребенчатых волноводах в периодически поляризованном ниобате лития
    
    Квантовая электроника, 48:8 (2018),  717–719
16. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
17. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
18. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
19. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
20. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  624–627
21. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552