Лебедев Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
2. Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  16–18
3. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
4. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
5. Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455
6. Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  264–267
7. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
8. Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1364–1367
9. Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  19–21
10. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
11. Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  7–9
12. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
    
    Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
13. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
14. Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1978–1984
15. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
16. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
17. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
18. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
19. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994
20. Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  21–23
21. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
22. Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  40–42
23. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
    
    УФН, 189:8 (2019),  803–848
24. Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2474–2477
25. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
26. Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1403–1408
27. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
28. Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655
29. Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534
30. Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1512–1517
31. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
32. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
33. Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332
34. Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  90–95
35. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
36. Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2063–2065
37. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
38. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
39. Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316
40. Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67
41. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
42. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
43. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
44. Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  30–36
45. Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  967–972
46. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
47. Биосенсоры на основе графена
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35
48. К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  703–708
49. Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  60–63
50. О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)
    
    Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56
51. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1075–1078
52. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903
53. Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  479–486
54. Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333
55. Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1384–1390
56. Новый способ обработки спектров DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  549–552
57. К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4
58. Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2227–2229
59. Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2066–2069
60. Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  919–921
61. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899
62. Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084
63. Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс углерода и марганца
    
    ЖТФ, 58:11 (1988),  2272–2274
64. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
65. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136
66. Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  16–19
67. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ
    
    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
68. Доминирующие рекомбинационные центры в слоях $n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  181–185
69. Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1486–1491
70. Сечения фотоионизации уровней никеля в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2237–2239
71. Метод повышения разрешающей способности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2228–2229
72. Пьезоемкостная спектроскопия радиационных дефектов в $p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2149–2151
73. Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов в диэлектрике и на поверхности полупроводника кремниевых МДП структур
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  836–841
74. Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si$\langle$Zn$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  321–324
75. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  23–29
76. Исследование влияния $\gamma$-облучения на спектр глубоких уровней в кремнии, легированном цинком
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  18–22
77. Новые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем
    
    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1322–1326
78. Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального $4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2169–2172
79. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
80. Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1806–1810
81. Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657
82. Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848
83. Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  683–686
84. Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  185–186
85. Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169
86. Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161
87. Влияние коррелированного неоднородного распределения поверхностных рекомбинационных центров и зарядов в окисле на генерацию неосновных носителей тока при емкостной спектроскопии в МДП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1971–1975
88. Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1791–1795
89. Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711
90. Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1617–1619
91. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1382–1385
92. Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1375–1381
93. Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1273–1276
94. Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации уровней Мn в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1159–1161
95. Взаимодействие кислорода с марганцем в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1158–1159
96. Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si$-$SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1156–1158
97. Исследование плотности глубоких центров в катодно-распыленных пленках SiO$_{x}$ в зависимости от степени окисления кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1087–1091
98. Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  982–986
99. Фотопроводимость кремния, легированного селеном
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  919–922
100. Емкостная спектроскопия глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si(Cr)
     
     Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  917–919
101. Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении
     
     Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  831–835
102. Энергетические уровни селена в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  597–600
103. Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  349–350
104. Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  338–340
105. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  213–216
106. Фотопроводимость кремния с примесью хрома
     
     Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  162–164
107. Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  114–117
108. Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработке
     
     Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1306–1307
109. Выпрямительный диод на основе карбида кремния
     
     Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1053–1056
110. Факторы, способствующие образованию второй фазы в бестигельном кремнии
     
     Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  837–840
111. Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы
     
     Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2152–2155
112. Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе
     
     Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1344–1347


113. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
     
     Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383