Ломако В М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1574–1578
2. Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия при высокотемпературном облучении электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1169–1174
3. Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  545–550
4. Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  448–452
5. Дефектообразование в $n$-InP при повышенных температурах облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  267–270
6. Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  222–226
7. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  73–76
8. Модификация метода накачки заряда для контроля пространственного распределения радиационно-индуцированных поверхностных состояний в МОП транзисторах
   
   Письма в ЖТФ, 17:19 (1991),  78–82
9. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2117–2120
10. Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2051–2053
11. Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в $n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1963–1968
12. Структура пиков $E4$ и $E5$ в $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1427–1430
13. Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в $n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1123–1126
14. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  731–735
15. Модификация центра $E3$ в облученном $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  295–299
16. Низкотемпературное облучение арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  185–187
17. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  77–81
18. Структура пика E3 в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1635–1639
19. Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в $p$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1625–1628
20. Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия, содержащем изовалентную примесь индия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  626–629
21. Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках — фазовые переходы второго рода
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  264–267
22. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  166–168
23. Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  90–95
24. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в $n$-InP при облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1311–1313
25. О природе дефектов с уровнем ${E_{c}-0.18}$ эВ в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1213–1218
26. О дефектах, возникающих в $n$-InP при низкотемпературном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  740–741
27. О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  634–637
28. Емкостная спектроскопия радиационных ловушек неосновных носителей в $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1471–1473
29. Образование электронных ловушек в $n$-InP при облучении $\gamma$-квантами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1075–1078
30. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  327–330
31. Образование и термическая стабильность радиационных дефектов в $p$-кремнии, облученном альфа-частицами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1055–1059
32. Инжекционный отжиг радиационных дефектов в $p$-кремнии, вводимых в электрическом поле при ${78\div330}$ K
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  740–742
33. Кинетика рекомбинационно-ускоренного отжига дефектов в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  287–293
34. Об определении параметров глубоких центров из сложных спектров нестационарной емкости
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  237–242
35. О возможности идентификации дефектов в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  532–534
36. Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  309–311
37. О распределении дефектов при облучении кремния неколлимированным пучком альфа-частиц
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2066–2068
38. Изучение глубоких центров в нейтронно-легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2088–2090
39. Глубокие центры в $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$-структурах высоковольтных диодов на основе арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1995–1998
40. Исследование глубоких уровней гомо- и гетеропереходов на арсениде галлия методом туннельной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  76–78
41. Вращение плоскости поляризации в некоторых ортоферритах самарий-тербиевой системы
    
    Докл. АН СССР, 229:5 (1976),  1105–1108


42. Поправки к статье “Вращение плоскости поляризации в некоторых ортоферритах самарий-тербиевой системы” (ДАН, т. 229, № 5, 1976 г.)
    
    Докл. АН СССР, 231:6 (1976),  1280