Васильевский Иван Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Поправка к статье: “Изучение адсорбции спайкового белка вируса SARS-CoV-2 методами колебательной спектроскопии с применением терагерцевых метаматериалов” («Квантовая электроника», 2022, т. 52, № 1, с.2–12)
   
   Квантовая электроника, 52:3 (2022),  288
2. Изучение адсорбции спайкового белка вируса SARS-CoV-2 методами колебательной спектроскопии с применением терагерцевых метаматериалов
   
   Квантовая электроника, 52:1 (2022),  2–12
3. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
4. Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011
5. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  359–364
6. Особенности импульсного лазерного отжига пленок ВС$_{3}$ на сапфировой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  26–29
7. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454
8. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
9. Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  472
10. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  201–206
11. Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  120–127
12. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  34–41
13. Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  11–17
14. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
15. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
16. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
17. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674
18. Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1570–1575
19. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573