RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Пономарев Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации

    УФН, 194:1 (2024),  2–22
  2. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах

    Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
  3. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
  4. Моделирование эффективности электрической накачки квантово-каскадного терагерцевого лазера при неоднородном питании током

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  164–168
  5. Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ

    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1012–1019
  6. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  10–14
  7. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации

    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
  8. Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей

    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  642–649
  9. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
  10. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
  11. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
  12. Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs

    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  146–157
  13. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag

    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
  14. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
  15. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
  16. Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  535–539
  17. Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн

    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  48–54
  18. Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN

    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  9–14
  19. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
  20. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190

  21. Новые оптические материалы

    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  867–868


© МИАН, 2024