|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации
УФН, 194:1 (2024), 2–22
-
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021), 741–746
-
Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994
-
Моделирование эффективности электрической накачки квантово-каскадного терагерцевого лазера при неоднородном питании током
Квантовая электроника, 51:2 (2021), 164–168
-
Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1012–1019
-
Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 10–14
-
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 663–669
-
Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей
Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 642–649
-
Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 913–918
-
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1268–1273
-
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 723–728
-
Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 146–157
-
Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1005–1008
-
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272
-
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539
-
Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 48–54
-
Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN
Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 9–14
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400
-
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190
-
Новые оптические материалы
Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 867–868
© , 2024