RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Галкин Гений Николаевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si
$-$
SiO
$_{2}$
, имплантированных ионами Ti
Физика и техника полупроводников
,
18
:4 (1984),
696–699
Время излучательной релаксации неравновесных носителей в арсениде галлия
Докл. АН СССР
,
237
:3 (1977),
552–554
Кремниевые солнечные батареи как источники электрического питания искусственных спутников Земли
УФН
,
63
:1 (1957),
123–129
©
МИАН
, 2024