|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Моделирование системы кондиционирования воздуха перспективного пассажирского самолета в программном комплексе SiminTech
Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 24–31
-
Структурные и композиционные перестройки в карбиде кремния, вызванные ионной имплантацией галлия и высокотемпературным отжигом
Физика твердого тела, 30:2 (1988), 629–632
-
Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых
$p{-}n$-переходов
Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1257–1260
-
Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального
$4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al
Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2169–2172
-
Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657
-
Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848
-
Исследование глубоких центров в $p{-}n$-переходах, полученных ионным
легированием $6H$-SiC
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1430–1433
-
Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии
Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117
-
Имплантация ионов галлия в пленки PbSe
Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 611–613
© , 2024