|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 196–201
-
Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 311–316
-
Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 421–425
-
Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478
-
Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 922–926
-
Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 455–459
-
Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре
Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 51–54
-
Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1169–1173
-
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1163–1168
-
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932
-
Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684
-
Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97
-
Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1178–1181
-
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558
-
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267
-
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262
-
Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 464
-
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620
-
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1713–1719
-
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696
-
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684
-
Tris(nitroxymethyl)methylamine and tris(nitroxymethyl)nitrosomethane
Mendeleev Commun., 7:1 (1997), 40–41
© , 2025