Гладышев Андрей Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
2. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
3. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
4. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
5. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
6. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
7. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
8. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
9. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
10. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
11. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
12. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне
    
    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
13. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
14. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
15. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
16. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
17. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
18. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
19. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
20. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
21. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
22. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
23. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
24. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
25. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой
    
    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
26. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
27. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
28. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
29. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
30. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
31. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
32. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
33. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
34. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
35. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
36. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
37. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
38. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
39. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
40. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
41. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
42. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
43. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
44. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
45. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
46. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
47. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
48. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212


49. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
    
    УФН, 194:1 (2024),  98–105