Денисов Дмитрий Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
2. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
3. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
4. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
5. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
6. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
7. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
   
   Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
8. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
9. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне
   
   ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
10. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
11. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
12. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
13. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
14. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
15. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
16. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
17. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
18. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
19. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
20. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
21. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
22. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
23. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой
    
    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
24. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
25. Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид
    
    Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019),  180–185
26. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
27. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
28. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
29. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
30. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
31. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
32. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
33. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
34. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
35. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
36. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
37. Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  136–145
38. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212