RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Федотов Валерий Юрьевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Туннелирование в системах
$\mathrm{GaAs}$
–
$\mathrm{V}$
и
$\mathrm{GaAs}$
–
$\mathrm{V}_3\mathrm{Si}$
Докл. АН СССР
,
261
:2 (1981),
346–347
Особенности фононной плотности состояний ниобия, полученные методом туннелирования через барьер Шоттки
Докл. АН СССР
,
253
:4 (1980),
877–878
©
МИАН
, 2024