Уфимцев Всеволод Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вынужденное излучение InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ при продольном возбуждении электронным пучком
   
   ЖТФ, 59:4 (1989),  154–155
2. Исследование поведения примесей при ионной имплантации селеном GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1347–1350
3. Некоторые особенности InSb, подвергнутого лазерному отжигу в среде жидкого азота
   
   ЖТФ, 58:8 (1988),  1541–1543
4. Эффект закалки при структурном превращении InSb под действием лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  484–488
5. Двухлучевой лазерный отжиг полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  688–693
6. Аномальное поведение $In\,Sb$ при лазерной термообработке в условиях низкотемпературной среды
   
   Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  998–1001
7. Воздействие лазерного излучения на InSb в среде жидкого азота
   
   ЖТФ, 56:10 (1986),  1998–2000
8. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb$\langle$Bi$\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  337–339
9. Образование двумерной решетки на поверхности InSb под действием лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 9:10 (1983),  580–582
10. Кристаллохимические аспекты формирования МДП структур на основе соединений $\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$
    
    Докл. АН СССР, 254:3 (1980),  636–640