Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$
Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 217–223
-
Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 258–264
-
Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1023–1029
-
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1289–1294
© , 2024