Соколов И А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение материальных параметров фоторефрактивных кристаллов на основе метода адаптивной голографической интерферометрии
   
   Оптика и спектроскопия, 129:4 (2021),  413–417
2. Адаптивный фотоприемник на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС в задачах регистрации упругих деформаций и напряжений
   
   ЖТФ, 87:3 (2017),  408–412
3. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
4. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
5. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
6. Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  6–10
7. Нестационарная фотоэдс при двухчастотном нелинейном режиме возбуждения
   
   ЖТФ, 59:10 (1989),  126–129
8. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
9. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
10. Нестационарная фотоэдс в нелинейном режиме возбуждения
    
    ЖТФ, 58:2 (1988),  429–431
11. Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/$n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1474–1478
12. О влиянии примеси внедрения на люминесцентные свойства имплантированного фосфида индия после лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  176–181
13. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
14. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
15. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
16. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
17. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
18. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
19. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
20. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
21. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410
22. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца
    
    Докл. АН СССР, 269:3 (1983),  607–609
23. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241
24. Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376
25. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  897–900
26. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853