Ковалюк Захар Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1055–1058
2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  339–343
3. Наблюдение индуктивно-подобного эффекта в суперконденсаторе
   
   Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  91–96
4. Влияние интеркалирования нитридом натрия и калия на физические свойства моноселенида индия
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3608–3610
5. Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi$_{2}$Te$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 33:3 (1991),  812–816
6. Влияние структуры и фазового состава на свойства пленок Bi$_{x}$Sb$_{2-x}$Te$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2845–2847
7. Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур $4.2{-}30$ K
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1413–1416
8. Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  418–422
9. Особенности изменения физических свойств InSe интеркалированием хлором
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  386–388
10. Экситон-экситонное взаимодействие и резонансные нелинейности в GaSe
    
    Физика твердого тела, 31:6 (1989),  131–138
11. Фотополяризационные процессы в интеркалатах Li$_{x}$GaSe и Li$_{x}$InSe
    
    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  222–224
12. Влияние интеркаляции литием на положение уровня Ферми и концентрацию свободных носителей заряда в теллуриде висмута
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2083–2085
13. Особенности инжекции неосновных носителей заряда в анизотипной ПТДП структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1510–1512
14. Новые аспекты интеркаляции
    
    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  87–90
15. ЯМР в водородной подсистеме соединения внедрения H$_{x}$GaSe
    
    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2510–2511
16. Управление размерностью электронного газа в слоистых полупроводниках InSe с помощью сверхпроводящего интеркалянта
    
    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1246–1248
17. Фотовольтаический эффект в GaSe
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  382–385
18. Стабильные парамагнитные комплексы из иона гадолиния и дырки в слоистом полупроводнике GaSe
    
    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  82–87
19. Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1657–1660
20. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1595–1600
21. Новый способ получения фоточувствительных барьеров на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2104–2107
22. Исследование динамики фазового перехода в дибензилинтеркалатах селенида галлия методом ЯМР
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3506–3508
23. Экситонные спектры интеркалированных монокристаллов селенидов индия и галлия
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2836–2838
24. Исследование состояния примеси в водородных интеркалатах селенида галлия методом ЯМР
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2191–2193
25. Влияние базисных дефектов кристаллической структуры на экситонные спектры люминесценции селенида галлия
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2163–2165
26. Влияние примеси Mn на экситон-фононное взаимодействие в кристаллах GaSe
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  1921–1927
27. Поляризационные эффекты в интеркалированном моноселениде галлия
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1508–1509
28. Модели примесных центров гадолиния в слоистом GaSe
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  28–32
29. Об одном из механизмов формирования фотоэдс в ПТДП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2094–2096
30. Двумерная проводимость в InSe при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1001–1004
31. Магнитная восприимчивость слоистых полупроводников InSe, GaSe
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  176–177
32. Особенности экситонных спектров люминесценции кристаллов $\gamma$-InSe, содержащих дефекты упаковки
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3591–3594
33. Исследование релаксационных характеристик излучения кристаллов GaSe при интенсивном пикосекундном возбуждении
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3559–3561
34. Плотность электронных состояний и фазировка волн зарядовой плотности в 2$H$–NbSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  1982–1990
35. Возникновение электретного состояния в слоистых интеркалированных монокристаллах GaSe
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1263–1265
36. Экранирование экситонов в полупроводнике GaSe
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1035–1042
37. Оптическая бистабильность на экситонах в $\mathrm{GaSe}$ при низких уровнях возбуждения
    
    Докл. АН СССР, 280:3 (1985),  591–593
38. О природе собственных дефектов слоистых полупроводников GaSe
    
    Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3696–3699
39. Смена механизма оптической бистабильности в GaSe
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  432–438
40. Осцилляции в неохлаждаемом полупроводниковом бистабильном элементе
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1177–1179
41. Оптическая мультистабильность в полупроводнике
    
    Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  257–260
42. Экситонное поглощение и люминесценция кристаллов селенида индия
    
    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2487–2491
43. Влияние изотермического отжига на спектры люминесценции монокристаллов GaSe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1300–1303
44. Особенности электрических свойств селенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  154–155
45. Новый вид оптического гистерезиса
    
    Письма в ЖТФ, 10:6 (1984),  350–353
46. Оптическая бистабильность в $\mathrm{GaSe}$
    
    Докл. АН СССР, 271:3 (1983),  611–614
47. Излучение свободных и связанных экситонов в слоистых кристаллах селенида галлия
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  445–449
48. Спектры отражения гетеропереходов GaSe$-$SnO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1883–1884
49. Фотолюминесценция и ЭПР селенида галлия, легированного редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1710–1713
50. Анизотропия фотопроводимости слоистых кристаллов GaSe и InSe, измеренная бесконтактным СВЧ методом
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1230–1234
51. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интеркалированного кадмием
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  814–817