Бобрецова Юлия Константиновна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
2. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
3. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
   
   Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
4. Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки
   
   Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825
5. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726
6. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
7. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
8. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
9. Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера
   
   Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492
10. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
11. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419