Светогоров Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  883–886
2. Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564
3. Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
   
   Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579
4. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
5. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
6. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
7. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
8. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP
   
   Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
9. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
10. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521