Голощапов Дмитрий Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
2. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
3. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
4. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
5. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
6. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
7. Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  917–925
8. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
9. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
10. Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  940–946
11. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
12. Фазовый переход полупроводник-металл и “тристабильное” электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 45:12 (2019),  3–5
13. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
14. Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  708–715
15. Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита
    
    Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018),  191–196
16. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
17. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
18. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
19. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167