Леньшин Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
2. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
3. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
4. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
5. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
6. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
7. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
8. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
9. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
10. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
11. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
12. Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  342–348
13. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
14. Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782
15. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
16. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
17. Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  193–197
18. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
19. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294