Арсентьев Иван Никитич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
2. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
3. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
4. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
5. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
6. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
7. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592
8. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
9. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1074–1079
10. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
11. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
12. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
13. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
14. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
15. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
16. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
17. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
18. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
19. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
20. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
21. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
22. Спектральные характеристики InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$ ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных для накачки YAG : Nd$^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  45–49
23. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034
24. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
25. Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597
26. Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503
27. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
28. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164
29. Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374
30. Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149
31. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
32. 0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118
33. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
34. Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  136–138
35. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
36. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
37. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
38. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
39. Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659
40. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
41. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165
42. Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  843–846
43. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717
44. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  242–246