|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Экситонная люминесценция двойных монослоев CdTe в матрице ZnTe
Физика твердого тела, 63:5 (2021), 674–676
-
Спектры отражения и фотоотражения структур с квантовыми ямами на основе ZnO
Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1795–1798
-
Фотолюминесценция гетероструктур с ультратонкими квантовыми ямами CdTe/ZnTe
Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1468–1473
-
Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания
Физика твердого тела, 62:6 (2020), 937–940
-
Фотолюминесценция кристаллов Cu$_{2}$O различного происхождения
Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2040–2043
-
Излучение света гетероструктурой CdMnTe/CdMgTe с узкими квантовыми ямами
Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1523–1525
-
Erratum to: Excitons in ZnO Quantum Wells
Физика твердого тела, 61:3 (2019), 623
-
Экситонное излучение гетероструктур CdTe/ZnTe с двойными ультратонкими узкозонными слоями
Физика твердого тела, 61:3 (2019), 545–548
-
Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO
Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2450–2455
-
Оптические спектры кристаллов GaSe и GaS различной толщины
Физика твердого тела, 60:6 (2018), 1211–1213
-
Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 509
-
Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe heterostructures with monolayer manganese inclusions in ZnTe quantum wells and its behavior in a magnetic field
Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 481
-
Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 402–408
-
Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2392–2395
-
Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 111–115
-
Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия
Физика твердого тела, 58:10 (2016), 2034–2037
-
Люминесценция и комбинационное рассеяние света в некоторых кристаллах группы I${-}$III${-}$VI$_{2}$ и их твердых растворах
Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2272–2276
-
Люминесценция экситонов в кристаллах двуокиси олова
Физика твердого тела, 34:2 (1992), 498–503
-
Магнитный полярный эффект в Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3373–3378
-
Оптические спектры и структура валентной зоны твердого раствора AgGaS$_{2(1-x)}$Se$_{2x}$
Физика твердого тела, 32:2 (1990), 622–624
-
Изотопический эффект в германии
Физика твердого тела, 31:12 (1989), 101–104
-
Люминесценция Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в температурном интервале магнитного фазового перехода
Физика твердого тела, 31:7 (1989), 105–108
-
Селективно возбужденная магнитолюминесценция в полумагнитных твердых растворах Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
Физика твердого тела, 30:11 (1988), 3444–3447
-
Влияние всестороннего сжатия на фотолюминесценцию твердых растворов Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3150–3153
-
Магнитолюминесценция твердых растворов Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при ${0< x<0.7}$
Физика твердого тела, 29:11 (1987), 3312–3314
-
Кинетика люминесценции в некоторых твердых растворах A$_{2}$B$_{6}$
Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1685–1689
-
Спектроскопия кристаллов TiGaS$_{2}$
Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1436–1440
-
Влияние магнитного поля на фотолюминесценцию кристаллов $\mathrm{TlGaS}_2$
Докл. АН СССР, 287:2 (1986), 334–337
-
Спектроскопические свойства кристалла Pb$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ и его аналогов — поглощение, фотопроводимость и люминесценция
Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3217–3219
-
Люминесценция смешанных кристаллов Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с присутствием марганца
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1216–1219
-
Фотопроводимость в кристаллах двуокиси олова
Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1000–1002
-
Межпримесная излучательная рекомбинация и резонансное комбинированное
рассеяние света в полупроводнике CuGaS$_{2}$ — зависимость от условий
возбуждения и температуры
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 712–714
-
Локализованные и делокализованные состояния примесных экситонов в кристалле SnO$_{2}$
Физика твердого тела, 25:1 (1983), 305–307
© , 2024