Седов Вадим Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1976–1985
2. Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1967–1975
3. Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  58–66
4. Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  50–57
5. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676
6. Ag$_{\text{Ga}}$ — новый ян-теллеровский акцептор в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2072–2074
7. Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]
   
   Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465
8. Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  421–426
9. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  415–420
10. Об аномальных мёссбауэровских спектрах сверхтонкой структуры суперпарамагнитных частиц
    
    Докл. АН СССР, 289:6 (1986),  1350–1355
11. Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963
12. Мёссбауэровские спектры при ограниченной прыжковой диффузии в кубическом окружении
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1353–1359
13. Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  893–898