|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703
-
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1072–1078
-
Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15
-
Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs
Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 789–792
-
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 177–183
-
Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 481–496
-
Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945
© , 2024