|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
Квантовая электроника, 52:10 (2022), 878–884
-
Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
ЖТФ, 91:12 (2021), 2008–2017
-
Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 3–7
-
Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 3–8
-
Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 36–38
-
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1088–1096
-
Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 49–54
-
Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 21–25
-
Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019), 963–966
-
Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 145–149
-
Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1128–1134
-
Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1158–1162
-
РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
Квантовая электроника, 49:9 (2019), 801–803
-
Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018), 229–233
-
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 59–66
© , 2024