Дата рождения: 25.01.1948
Ключевые слова: диаграмма, монокристаллы, фотопроводимость, край поглощения анизотропия, дисперсия, электропроводность комбинационное рассеяние света, выращивание монокристаллов.

Основные темы научной работы:

Физика полупроводников

Основные публикации:

1. A. Kh. Matiyev, A. V. Yanarsaev, “Raman scattering of light in crystals Tl1-xAgx GaSe2 (0 ≤ X ≤ 0,025)” (21st International Conference on Ternary and Multinary Compounds September 9-13, 2018 . Boulder, CO, USA), 2018, 61
2. А.Х. Матиев, Янарсаев А.В., Успажиев Р.Т., Евтиева Р.М., “T.x Диаграммa состояния cистемы TlGaSе2 .AgGaSе2 (0 ≤ x ≤ 0.025)”, Изв. РАН. Неорг. материалы, 51:7 (2015), 730-732  
3. Матиев А.Х., Янарсаев А.В, “Анизотропия показателя преломления и электро-оптический эффект
 в кристаллах Tl1-хAgхGaSe2”, Известия РАН. серия Физическая, 79:6 (2015), 845.847  
4. Матиев А.Х.,Янарсаев А.В. Успажиев Р.Т.,, “Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xAgxGaSe2 (0≤Х≤0.025)”, Известия РАН. серия Физическая, 80:6 (2016), 718  

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

Персональные страницы:

• 

Организации:

• Грозненский государственный нефтяной технический университет им. академика М. Д. Миллионщикова