Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs
Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671
-
Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм
Квантовая электроника, 52:9 (2022), 775–778
-
Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181
-
Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914
-
Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 905–908
© , 2024