Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 52:4 (2022), 362–366
-
Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361
-
Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм
Квантовая электроника, 50:10 (2020), 895–899
-
Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа
Квантовая электроника, 50:7 (2020), 683–687
-
Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912
© , 2024