Артамонов В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Воздействие света на процесс имплантации ионов P$^{+}$ в Si
   
   Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2083–2090
2. Спектроскопия КРС ионно-имплантированных слоев GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  725–729
3. Исследование пространственного распределения дефектов и механических напряжений в кремнии, имплантированном ионами углерода
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1704–1710
4. Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  670–676
5. Исследование эффекта ионно-пучкового отжига аморфизированных имплантацией приповерхностных слоев Si по спектрам КРС
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1747–1751
6. Анализ распределения упругих напряжений при планарном геттерировании кремниевых структур
   
   Письма в ЖТФ, 15:6 (1989),  72–76
7. Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1961–1966
8. Рассеяние света на электронных переходах доноров азота в кристаллах $21R$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  922–925


9. Исправления к статье “Инварианты алгебр Хопфа” (1996. № 4. С. 45–49)
   
   Вестн. Моск. ун-та. Сер. 1. Матем., мех., 1997, № 2,  64