Подоскин Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
2. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
3. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
4. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
5. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5
6. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
7. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
8. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
9. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
10. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
11. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
12. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
13. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
14. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
15. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
16. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
17. Тройной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
18. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
19. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
20. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
21. Двойной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
22. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37