|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 27–29
-
Влияние выращивания в магнитном поле на электрофизические
и рекомбинационные характеристики антимонида индия
Письма в ЖТФ, 18:2 (1992), 21–25
-
Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей
заряда в антимониде индия
Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2132–2134
-
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом
Чохральского с добавлением кислорода
Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 507–511
-
Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ
Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2088–2090
-
Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1711–1713
-
Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1267–1269
-
Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках
при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
в вариантах температурного и частотного сканирования
Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 725–727
-
О диффузии водорода в кремнии
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 178–180
-
К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия
атомарным водородом
Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2217–2218
-
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1892–1894
-
Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs
Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1203–1207
-
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs
Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 44–48
-
Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия в магнитоактивной микроволновой водородной плазме
Докл. АН СССР, 297:3 (1987), 580–584
-
О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия
Физика твердого тела, 29:10 (1987), 2886–2889
-
О поведении ванадия в арсениде галлия
Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2024–2027
-
Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью
атомарного водорода
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1762–1764
-
Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 842–847
-
Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ
Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 385–388
-
Об определении параметров глубоких центров в высокоомных
полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
глубоких уровней
(ФЭРСГУ)
Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1428–1432
-
Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия потоком водородной плазмы
Письма в ЖТФ, 12:24 (1986), 1486–1489
-
О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах
InP
Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1986–1990
-
Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации
примеси в фосфиде индия, легированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1763–1767
-
Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах
методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов
Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 735–737
-
К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия
Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1450–1454
© , 2024